Samsung Electronics, líder global en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado el inicio del envío de muestras del primer sistema HBM4E de 12 capas en la industria a importantes clientes en todo el mundo. Este avance refuerza su posición de liderazgo en el mercado de HBM de próxima generación.
Después de haber iniciado la producción masiva y el envío comercial de su memoria HBM4 a principios de este año, Samsung expande su hoja de ruta de HBM con la introducción de las muestras HBM4E, diseñadas para satisfacer las crecientes demandas de la computación de inteligencia artificial (IA) y la infraestructura hiperescalable.
El vicepresidente ejecutivo y responsable del desarrollo de memoria en Samsung Electronics, Sang Joon Hwang, afirmó que, tras la exitosa producción masiva de HBM4, la empresa ha vuelto a demostrar su ventaja tecnológica con el HBM4E. Hwang destacó que, gracias a las capacidades de fabricación avanzadas y las inversiones en infraestructura, Samsung continuará impulsando el crecimiento del mercado global de memoria para IA.
La memoria HBM4E ofrece una velocidad de pin estable de 14 gigabits por segundo (Gbps), con un rendimiento que puede escalar hasta 16 Gbps, lo que la hace adecuada para procesos de datos cada vez más intensivos. Esta mejora representa más del 20% respecto a su predecesora HBM4, logrando un ancho de banda de memoria de hasta 3.6 terabytes por segundo (TB/s) por apilamiento. Esto maximiza el rendimiento computacional para modelos de lenguaje grande y sistemas de IA de próxima generación.
Samsung ofrece su HBM4E en una capacidad de 48 gigabytes (GB), que implica un aumento superior al 30% en comparación con la generación anterior. Además, planea ampliar la gama para incluir configuraciones de 32GB (8 capas) y 64GB (16 capas) de acuerdo con las necesidades de los clientes.
Este nuevo modelo se distingue por aprovechar al máximo las capacidades semiconductoras de Samsung y por las tecnologías de vanguardia refinadas a través de la experiencia en la producción de HBM4. Esto incluye el proceso DRAM de clase de 10 nanómetros de sexta generación, lo que le permite asegurar una estabilidad y manufacturabilidad del proceso mejoradas.
La optimización de diseño y proceso en las arquitecturas de memoria y lógica del HBM4E también mejora la eficiencia del rendimiento, la eficiencia energética y el rendimiento. En particular, las tecnologías de diseño de bajo consumo y las estructuras de empaquetado optimizadas han mejorado la eficiencia energética en un 16% y las características de resistencia térmica en más del 14% en comparación con la generación anterior, lo que permite una disipación de calor más eficaz y, por ende, mayor confiabilidad y menor consumo de energía en los centros de datos de próxima generación.
Samsung planea comenzar la producción masiva del HBM4E alineándose con los cronogramas de sus clientes, después de los envíos iniciales de muestras y la optimización correspondiente. La retroalimentación de los clientes globales sobre la memoria HBM4, lanzada en febrero, ha sido muy positiva, especialmente en cuanto a su rendimiento y eficiencia energética.
A medida que se fortalece el suministro continuo de HBM4, se espera que el nuevo HBM4E entre en producción masiva, acelerando aún más la innovación en los sistemas de IA de próxima generación. Con un portafolio completo que abarca memoria, fundición, diseño lógico y empaques avanzados, Samsung seguirá garantizando un suministro estable de semiconductores para el creciente mercado de IA.
vía: Sala de Prensa de Samsung.
