Samsung Electronics, un líder global en tecnología de memoria avanzada, ha presentado sus últimas innovaciones en memoria AI en la Future of Memory and Storage (FMS) 2026 que se celebra en Santa Clara, California. La compañía mostró su portafolio de memoria AI y su hoja de ruta tecnológica, destacando modelos conceptuales de zHBM y zNAND-O, así como la introducción pionera de su tecnología V10 BV-NAND, que cuenta con más de 400 capas.
En la apertura del evento, los ejecutivos de Samsung, Jin-Yub Lee y Kyungryun Kim, ofrecieron una charla sobre estructuras 3D de próxima generación en soluciones de memoria, titulada «Impulsando la ola de la revolución AI: Innovaciones 3D en arquitectura de memoria y almacenamiento». Durante su presentación, también se expuso la visión de Samsung para maximizar el rendimiento de los sistemas AI y su eficiencia energética, a la luz de la creciente demanda de computación de alto rendimiento y infraestructura AI.
Samsung presentó modelos conceptuales de zHBM, una arquitectura de memoria que apila verticalmente HBM justo encima de los aceleradores AI, lo que reduce la distancia que los datos deben recorrer, mejorando el ancho de banda y la eficiencia energética. Este nuevo sistema de interfaz se espera que ofrezca aproximadamente ocho veces el rendimiento del HBM5, además de superar en más de diez veces la densidad de memoria en comparación con su predecesor.
Por otro lado, el zNAND-O es una solución de NAND de alto rendimiento que combina una gran eficiencia espacial con un rendimiento de I/O mejorado y baja latencia, lo que la hace ideal para aplicaciones de AI en tiempo real.
Samsung también lanzó su V10 BV-NAND, que aumenta la densidad de memoria en un 58% respecto a la generación anterior y mejora el rendimiento en lectura y escritura. Este avance, de 13 años después de haber introducido su primera tecnología V-NAND, reafirma el compromiso de Samsung con la innovación en el sector NAND.
La compañía presentó su hoja de ruta para el futuro de la memoria y el almacenamiento, que incluye tecnologías avanzadas como HBM4E y LPDDR5X-PIM, un sistema de memoria que permite procesamiento dentro de la misma, optimizando la eficiencia en la transferencia de datos. Samsung se posiciona como el único fabricante integrado que ofrece soluciones completas para la infraestructura AI, asegurando que sus clientes puedan llevar al mercado soluciones de semiconductores AI diferenciadas de manera rápida y eficiente.
vía: Sala de Prensa de Samsung.
