Samsung Electronics, un líder global en tecnología avanzada de semiconductores, ha anunciado las innovadoras tecnologías de computación basadas en inteligencia artificial (IA) que presentará en el NVIDIA GTC 2026, que tendrá lugar del 16 al 19 de marzo en San José, California. Como la única empresa del sector de semiconductores que ofrece una solución total de IA que abarca memoria, lógica, fundición y empaquetado avanzado, Samsung exhibirá su completo conjunto de productos y soluciones que permiten a los clientes diseñar y construir sistemas de IA revolucionarios. Los interesados pueden visitar el stand de Samsung en GTC 2026, número 1207, para obtener más información sobre sus soluciones de IA.
El punto culminante de la exhibición de Samsung en NVIDIA GTC 2026 será el nuevo HBM4 de sexta generación, actualmente en producción masiva y diseñado para la plataforma NVIDIA Vera Rubin. Se espera que el HBM4 de Samsung impulse el desarrollo de futuras aplicaciones de IA, ofreciendo velocidades de procesamiento estables de 11.7 gigabits por segundo (Gbps), superando el estándar de la industria de 8 Gbps, y con capacidad de mejora hasta 13 Gbps.
Gracias a su avanzado proceso de DRAM de sexta generación de 10 nanómetros, Samsung ha logrado rendimientos estables y un rendimiento líder en la industria. Además, se mostrará por primera vez en GTC 2026 el HBM4E de próxima generación, que ofrece 16 Gbps por pin y un ancho de banda de 4.0 terabytes por segundo (TB/s).
Los visitantes también podrán conocer la tecnología de unión híbrida de cobre (HCB) de Samsung, un nuevo método que permitirá que la próxima generación de HBM logre 16 o más capas, al tiempo que reduce la resistencia térmica en más del 20 por ciento en comparación con el método de unión por compresión térmica.
La sólida colaboración entre Samsung y NVIDIA se destacará en una galería separada dentro del stand, donde se presentará una amplia gama de tecnologías de vanguardia como HBM4, SOCAMM2 y el SSD PM1763, todas diseñadas para la infraestructura de IA de NVIDIA. Enfocándose en la necesidad de máxima eficiencia y escalabilidad en los sistemas de IA, el SOCAMM2 de Samsung, basado en DRAM de bajo consumo, es un módulo de memoria óptimo para servidores que ofrece un alto ancho de banda y flexibilidad en la integración de sistemas, siendo el primero en la industria en entrar en producción masiva.
Diseñado para soluciones de almacenamiento de IA de próxima generación, el SSD PM1763 de Samsung, basado en la última interfaz PCIe 6.0, demostrará transferencias de datos rápidas y capacidades altas en servidores que utilizan el modelo de programación SCADA de NVIDIA. Además, como parte de la nueva arquitectura de referencia BlueField-4 STX de NVIDIA, que acelera la infraestructura de almacenamiento, el SSD PM1753 de Samsung mostrará cómo ayuda a mejorar la eficiencia energética y el rendimiento del sistema para cargas de trabajo de inferencia.
La colaboración de Samsung con NVIDIA para el desarrollo de fábricas de IA también será presentada en GTC 2026, con planes para implementar la computación acelerada de NVIDIA en la fábrica de IA de Samsung, acelerando la fabricación de gemelos digitales que aprovechan las bibliotecas de Omniverse de NVIDIA. Esta colaboración potencia una de las infraestructuras de fabricación de chips más completas del mundo, que abarca memoria, lógica, fundición y empaquetado avanzado.
Por otro lado, Yong Ho Song, Vicepresidente Ejecutivo y Jefe del Centro de IA en Samsung Electronics, ofrecerá una sesión sobre la colaboración estratégica entre ambas empresas el 17 de marzo de 2026, titulada «Transformando la Fabricación de Semiconductores con IA Agente desde Diseño e Ingeniería hasta Producción». Esta ponencia profundizará en la fábrica de IA de Samsung y compartirá casos de uso innovadores donde la IA y los gemelos digitales están transformando la fabricación de semiconductores.
Samsung también presentará soluciones de memoria que maximizan la eficiencia para cargas de trabajo de IA locales en dispositivos personales. Durante GTC 2026, se mostrarán soluciones adaptadas para supercomputadoras de IA personales, incluidos los NAND PM9E3 y PM9E1 para NVIDIA DGX Spark. Además, Samsung exhibirá soluciones de DRAM, como LPDDR5X y LPDDR6, diseñadas para integrarse fácilmente en teléfonos inteligentes de gama premium, tabletas y dispositivos vestibles, ofreciendo un mayor rendimiento de datos y menor latencia. El LPDDR5X alcanza velocidades de hasta 25 Gbps por pin y reduce el consumo de energía en un 15 por ciento, mientras que el LPDDR6 eleva el ancho de banda a 30-35 Gbps por pin, introduciendo características avanzadas de gestión de energía para cumplir con las exigencias de los futuros trabajos de IA en el borde.
vía: Sala de Prensa de Samsung.