Samsung Electronics ha firmado un Memorando de Entendimiento (MOU) con AMD para expandir su colaboración estratégica en tecnologías de memoria y computación artificial (AI) de próxima generación. La ceremonia de firma tuvo lugar en el complejo de fabricación de chips más avanzado de Samsung en Pyeongtaek, Corea, con la participación de Young Hyun Jun, Vicepresidente y CEO de Samsung Electronics, y Dr. Lisa Su, Presidente y CEO de AMD.
Durante el evento, Young Hyun Jun destacó la importancia del acuerdo al afirmar que ambas compañías comparten el compromiso de avanzar en la computación AI. «Este acuerdo refleja el creciente alcance de nuestra colaboración», declaró, resaltando las capacidades únicas de Samsung en el desarrollo de arquitecturas de memoria avanzadas y en la fabricación y envasado de chips.
Por su parte, Dr. Lisa Su subrayó que la infraestructura de IA de próxima generación necesita una colaboración profunda entre las empresas del sector. «Estamos entusiasmados de expandir nuestra colaboración con Samsung, uniendo su liderazgo en memoria avanzada con nuestras soluciones Instinct GPU, EPYC CPU y plataformas de rack», comentó.
El MOU establece que ambas empresas alinearán el suministro de HBM4, la memoria de banda ancha de cuarta generación, para el nuevo acelerador AI de AMD, el Instinct MI455X GPU. Además, colaborarán en soluciones avanzadas de DRAM para los CPUs AMD EPYC de sexta generación, conocidos con el nombre en código «Venecia». Estas innovaciones estarán diseñadas para soportar sistemas AI de próxima generación que integren las GPUs Instinct de AMD, los CPUs EPYC y arquitecturas de rack como la plataforma Helios de AMD.
Samsung y AMD están trabajando para optimizar tecnologías de memoria para cargas de trabajo de AI y centros de datos. A medida que el ancho de banda de memoria y la eficiencia energética se vuelven cada vez más cruciales para el rendimiento a nivel de sistema, esta colaboración busca ofrecer una infraestructura de AI más optimizada para los clientes.
Samsung, pionero en la producción en masa de HBM4, utiliza un proceso DRAM de 10 nanómetros de sexta generación y un chip lógico de 4 nanómetros, logrando velocidades de procesamiento de hasta 13 gigabits por segundo y un ancho de banda máximo de 3.3 terabytes por segundo, superando los estándares de la industria. Se espera que el GPU Instinct MI455X, impulsado por la memoria HBM4 de Samsung, sea la solución óptima para sistemas de alto rendimiento en entrenamiento de modelos AI e inferencias.
Además de la memoria HBM4, Samsung y AMD colaborarán en el desarrollo de memoria DDR5 de alto rendimiento, optimizada para los CPUs EPYC de sexta generación, con la meta de proporcionar soluciones de memoria líderes en la industria para sistemas basados en la arquitectura de rack Helios de AMD.
Ambas empresas, que han trabajado juntas durante cerca de dos décadas en tecnologías gráficas, móviles y computacionales, también están explorando oportunidades de asociación en la producción de semiconductores, lo que implicaría que Samsung proveería servicios de foundry para los productos de próxima generación de AMD.
vía: Sala de Prensa de Samsung.