Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado hoy que ha comenzado la producción en masa del primer NAND de celda de cuatro niveles (QLC) de un terabit (Tb) de 9ª generación vertical (V-NAND) de la industria. Esta nueva tecnología se suma a la producción en masa del NAND triple de 9ª generación (TLC) iniciada en abril de este año, reforzando así su liderazgo en el mercado de flash NAND de alta capacidad y alto rendimiento.
"Kicking off the successful mass production of QLC 9th-generation V-NAND just four months after the TLC version allows us to offer a full lineup of advanced SSD solutions that address the needs for the AI era”, declaró SungHoi Hur, Vicepresidente Ejecutivo y Jefe de Producto Flash y Tecnología en Samsung Electronics. "A medida que el mercado de SSD empresariales muestra un rápido crecimiento con una mayor demanda de aplicaciones de IA, continuaremos consolidando nuestro liderazgo en el segmento mediante nuestras tecnologías QLC y TLC de 9ª generación".
Samsung planea expandir las aplicaciones de su NAND QLC de 9ª generación, comenzando con productos de consumo y extendiéndose a dispositivos de almacenamiento flash universal móvil (UFS), PCs y SSDs para servidores, incluidos proveedores de servicios en la nube. Este desarrollo trae consigo numerosas innovaciones tecnológicas significativas.
En primer lugar, gracias a la tecnología inigualable de Channel Hole Etching, la compañía ha logrado el mayor número de capas en la industria con una estructura de doble pila. Esta optimización del área de las celdas y los circuitos periféricos ha permitido alcanzar una densidad de bits aproximadamente un 86% mayor que la de la generación anterior de QLC V-NAND.
Además, la tecnología Designed Mold ajusta el espaciamiento de las líneas de palabra (WL) para garantizar la uniformidad y optimización de las características de las celdas en todas las capas. Esta característica ha mejorado la retención de datos en aproximadamente un 20% respecto a las versiones anteriores, aumentando así la fiabilidad del producto.
Por otro lado, la tecnología Predictive Program anticipa y controla los cambios en el estado de las celdas para minimizar las acciones innecesarias, lo que ha permitido doblar el rendimiento de escritura y mejorar la velocidad de entrada y salida de datos en un 60%.
Finalmente, la implementación de un diseño de bajo consumo, disminuye el consumo de energía en un 30% durante la lectura de datos y en un 50% durante la escritura. Esta técnica reduce la tensión que impulsa las celdas NAND y minimiza el consumo de energía al detectar solo las líneas de bits necesarias.
Con estos avances, Samsung sigue demostrando su capacidad para innovar y liderar en el ámbito de la memoria flash, proporcionando soluciones de almacenamiento más eficientes y de mayor rendimiento adaptadas a las necesidades emergentes en la era de la inteligencia artificial.
vía: Sala de Prensa de Samsung.
