Samsung Electronics ha celebrado hoy una ceremonia de inauguración para su nuevo complejo de investigación y desarrollo de semiconductores, NRD-K, en su campus de Giheung, marcando un importante avance hacia el futuro. Alrededor de 100 invitados, incluidos proveedores y clientes, asistieron al evento para conmemorar este hito.
El NRD-K, cuyo inicio de construcción tuvo lugar en 2022, está destinado a convertirse en una base de investigación clave para las áreas de memoria, LSI de sistema y fundición de semiconductores de Samsung. Con su avanzada infraestructura, el complejo permitirá llevar a cabo investigaciones y verificaciones a nivel de producto bajo un mismo techo. Samsung planea invertir aproximadamente 20 billones de wones surcoreanos para el año 2030 en este complejo, que se extenderá sobre unos 109,000 metros cuadrados en su campus de Giheung. Además, incluirá una línea dedicada a I+D que comenzará a operar a mediados de 2025.
Young Hyun Jun, Vicepresidente y Director de la División de Soluciones para Dispositivos de Samsung Electronics, expresó: “NRD-K fortalecerá nuestra velocidad de desarrollo, permitiendo a la compañía crear un ciclo virtuoso para acelerar la investigación fundamental en tecnología de próxima generación y la producción en masa. Sentaremos las bases para un nuevo avance en Giheung, donde comenzó la historia de 50 años de Samsung Electronics en el ámbito de los semiconductores, y crearemos un nuevo futuro para los próximos 100 años”.
Por su parte, Park Gwang-Sun, jefe de Applied Materials Korea, destacó: “En un momento en el que la importancia de las asociaciones de beneficio mutuo es mayor que nunca, Applied Materials se compromete a acelerar la velocidad de innovación a través de una colaboración profunda con Samsung Electronics, trabajando juntos para impulsar una nueva ola de crecimiento para la industria de los semiconductores”.
El campus de Giheung, situado al sur de Seúl, es el lugar de origen del primer DRAM de 64 megabits del mundo en 1992, un acontecimiento que marcó el inicio del liderazgo de la compañía en semiconductores. La creación del nuevo complejo de I+D inaugurará los desarrollos más recientes en tecnología de procesos y herramientas de fabricación, prolongando el legado del sitio en la vanguardia de la innovación.
El NRD-K estará equipado con litografía extrema ultravioleta (EUV) de alta NA y equipos de deposición de nuevos materiales, dirigidos a acelerar el desarrollo de semiconductores de memoria de próxima generación como DRAM 3D y V-NAND con más de 1,000 capas. Además, se planea instalar una infraestructura de unión de obleas con capacidades innovadoras de unión oblea a oblea.
Samsung ha invertido un récord de 8.87 billones de wones surcoreanos en I+D en el tercer trimestre de este año, y continúa empujando los límites para asegurar competitividad en tecnologías futuras, como empaquetado avanzado para la producción de memoria de alta capacidad (HBM).
vía: Sala de Prensa de Samsung.
